SiC SBD in SiC-kragtoestelle

01 Toestelstruktuur en -kenmerke

SiC kan gebruik word om hoëspanningsdiodes bo 600V in die SBD (Schottky-versperringsdiode) struktuur van hoëfrekwensietoestelle te verkry (die hoogste spanningsweerstand van Si se SBD is ongeveer 200V).

Daarom, as SiC SBD gebruik word om die huidige hoofstroomproduk Fast PN Junction Diode (FRD: Fast Hersteldiode), kan dit herwinningsverliese aansienlik verminder.

Voordelig vir die hoë doeltreffendheid van kragtoevoer, en die bereiking van miniaturisering van passiewe komponente soos induktors deur hoëfrekwensie-aandrywing, terwyl dit ook geraas verminder. Wyd gebruik in Kragreguleerders in lugversorging, kragbronne, fotovoltaïese kragopwekkingstelsels, vinnige laaiers vir elektriese voertuie, en arbeidsfaktorkorreksiekringe (PFC-kringe) en gelykrigterbrugkringe.

02 Positiewe eienskappe van SiC SBD

Die aanskakelspanning van SiC SBD is dieselfde as dié van Si FRD, minder as 1V.

Die aanskakelspanning word bepaal deur die versperringshoogte van die Schottky-versperring. Gewoonlik, as die versperringshoogte ontwerp is om laag te wees, kan die aanskakelspanning ook laer gemaak word, maar dit sal ook lei tot 'n toename in lekstroom tydens omgekeerde voorspanning.

ROHM se tweede-generasie SBD het suksesvol dieselfde lekstroom en herstelprestasie as die ou produk gehandhaaf deur verbeterde vervaardigingsprosesse, terwyl die aanskakelspanning met ongeveer 0.15V verminder is.

Die temperatuurafhanklikheid van SiC SBD verskil van dié van Si FRD. Hoe hoër die temperatuur, hoe hoër sal die geleidingsimpedansie toeneem, wat lei tot 'n toename in VF-waarde. Dit is nie geneig tot termiese weghol nie, dus kan dit met gemoedsrus parallel gebruik word.

03 Herwinningseienskappe van SiC SBD

Die vinnige PN-voegdiode (FRD: vinnige hersteldiode) van Si genereer 'n groot oorgangsstroom op die oomblik van oorskakeling van vorentoe na agtertoe, waartydens dit oorgaan na 'n omgekeerde voorspanningstoestand, wat lei tot beduidende verliese.

Dit is omdat die minderheidsdraers wat tydens voorwaartse geleiding in die dryflaag opgehoop het, voortdurend elektrisiteit gelei totdat hulle verdwyn (hierdie tyd staan ​​ook bekend as die ophopingstyd).

Hoe groter die voorwaartse stroom of hoe hoër die temperatuur, hoe langer die hersteltyd en stroom, wat lei tot groter verliese.

Inteendeel, SiC SBD is 'n meerderheidsdraertoestel (unipolêre toestel) wat nie minderheidsdraers vir elektriese geleiding gebruik nie, dus in beginsel vind die verskynsel van minderheidsdraer-akkumulasie nie plaas nie. In vergelyking met Si FRD, kan dit verliese aansienlik verminder as gevolg van die klein stroom wat gegenereer word wat slegs die aansluitingskapasitansie ontlaai.

Boonop bly die oorgangsstroom grootliks onveranderd met temperatuur en voorwaartse stroom, wat stabiele en vinnige herstel in enige omgewing moontlik maak.

Daarbenewens kan dit ook die geraas wat deur die herstelstroom veroorsaak word, verminder, wat die effek van geraasvermindering bereik.